深圳市浩时健电子有限公司

三菱高频分立MOSFET管 RD60HUF1-101（图）

是否提供**:否 品牌/商标:Mitsubishi/三菱 型号/规格:RD60HUF1-101 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:12.5（V） 集电*耗散功率PCM:60（W） 截止频率fT:520（MHz） 结构:面接触型 封装形式:贴片型 封装材料:金属封装

NXP恩智浦射频功率管 BLF573（图）

是否提供**:否 品牌/商标:NXP/恩智浦 型号/规格:BLF573 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:50（V） 集电*允许电流ICM:12（A） 集电*耗散功率PCM:300（W） 截止频率fT:10 - 500（MHz） 结构:面接触型 封装形式:SOT502A 封装材料:金属封装

NXP射频功率管 BLF578 BLF573 BLF861A BLF871 BLF878

是否提供**:否 品牌/商标:NXP/恩智浦 型号/规格:BLF578 BLF573 BLF861A BLF871 BLF888A BLF878 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:50（V） 集电*允许电流ICM:12（A） 集电*耗散功率PCM:15（W） 截止频率fT:500（MHz） 结构:面接触型 封装形式:功率型 封装材料:金属封装

NXP恩智浦射频功率管 BLF245（图）

是否提供**:否 品牌/商标:NXP/恩智浦 型号/规格:BLF245 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:28（V） 集电*允许电流ICM:15（A） 集电*耗散功率PCM:30（W） 截止频率fT:175 - 230（MHz）

NXP恩智浦射频功率管 BLF571（图）

是否提供**:否 品牌/商标:NXP/恩智浦 型号/规格:BLF571 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:50（V） 集电*允许电流ICM:12（A） 集电*耗散功率PCM:20（W） 截止频率fT:10 - 500（MHz）

NXP恩智浦射频功率管 BLF521 BLF542 BLF544（图）

是否提供**:否 品牌/商标:NXP/恩智浦 型号/规格:BLF521 BLF542 BLF544 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:28（V） 集电*允许电流ICM:12（A） 集电*耗散功率PCM:20（W） 截止频率fT:500（MHz） 结构:面接触型 封装形式:SOT171A 封装材料:金属封装

NXP恩智浦射频功率管 BLF878（图）

是否提供**:否 品牌/商标:NXP/恩智浦 型号/规格:BLF878 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:42（V） 集电*允许电流ICM:10（A） 集电*耗散功率PCM:300（W） 截止频率fT:470 - 860（MHz） 结构:面接触型 封装形式:SOT979A 封装材料:金属封装

NXP恩智浦射频功率管 BLF861A（图）

是否提供**:否 品牌/商标:NXP/恩智浦 型号/规格:BLF861A 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:32（V） 集电*允许电流ICM:0.1（A） 集电*耗散功率PCM:150（W） 截止频率fT:470 - 860（MHz） 结构:面接触型 封装形式:功率型 封装材料:金属封装

NXP恩智浦射频功率管 BLF202 BLF242（图）

是否提供**:否 品牌/商标:NXP/恩智浦 型号/规格:BLF202 BLF242 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:28（V） 集电*允许电流ICM:12（A） 集电*耗散功率PCM:5（W） 截止频率fT:175 - 230（MHz） 结构:面接触型 封装形式:功率型 封装材料:金属封装

三菱高频分立MOSFET管 RD30HVF1-101（图）

是否提供**:否 品牌/商标:Mitsubishi/三菱 型号/规格:RD30HVF1-101 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:12.5（V） 集电*耗散功率PCM:30（W） 截止频率fT:175（MHz） 结构:面接触型 封装形式:贴片型 封装材料:金属封装

NXP恩智浦射频功率管 BLF645（图）

是否提供**:否 品牌/商标:NXP/恩智浦 型号/规格:BLF645 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:32（V） 集电*允许电流ICM:12（A） 集电*耗散功率PCM:100（W） 截止频率fT:HF - 1400（MHz） 结构:面接触型 封装形式:SOT540A 封装材料:金属封装

三菱射频功率管 RD60HUF1（图）

是否提供**:否 品牌/商标:Mitsubishi/三菱 型号/规格:RD60HUF1 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:12（V） 集电*允许电流ICM:2（A） 集电*耗散功率PCM:4.5（W） 截止频率fT:520（MHz） 结构:点接触型 封装形式:功率型 封装材料:陶瓷封装

NXP恩智浦射频功率管 BLF871（图）

是否提供**:否 品牌/商标:NXP/恩智浦 型号/规格:BLF871 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:21（V） 集电*允许电流ICM:15（A） 集电*耗散功率PCM:100（W） 截止频率fT:HF - 1000（MHz） 结构:面接触型 封装形式:SOT467C 封装材料:金属封装

三菱高频分立MOSFET管 RD100HHF1（图）

是否提供**:否 品牌/商标:Mitsubishi/三菱 型号/规格:RD100HHF1 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:12.5（V） 集电*耗散功率PCM:100（W） 截止频率fT:30（MHz） 结构:面接触型 封装形式:贴片型 封装材料:金属封装

NXP恩智浦射频功率管 BLF404 BLF368（图）

是否提供**:否 品牌/商标:NXP/恩智浦 型号/规格:BLF404 BLF368 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:32（V） 集电*允许电流ICM:12（A） 集电*耗散功率PCM:300（W） 截止频率fT:175 - 230（MHz）

NXP恩智浦射频功率管 BLF245B（图）

是否提供**:否 品牌/商标:NXP/恩智浦 型号/规格:BLF245B 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:28（V） 集电*允许电流ICM:12（A） 集电*耗散功率PCM:30（W） 截止频率fT:175 - 230（MHz） 结构:面接触型 封装形式:SOT279A 封装材料:金属封装

图像传感器/摄像头/摄像模块